Qualcomm Snapdragon 835 обзор, сравнение, дата выхода, в каких смартфонах

Qualcomm Snapdragon 835

В 2017 году Qualcomm собирается изменить обычный порядок нумерации своих процессоров и выпустить сразу Snapdragon 835 вместо Snapdragon 830, как предполагалось ранее. Не исключено, что Snapdragon 830 также будет выпущен, но как младшая версия флагмана и с рядом даунгрейдов. У Snapdragon 820 такое тоже было, но не афишировалось: первым в продажу поступила модификация чипа MSM8996 Lite с пониженной до 1800МГц частотой ядер верхнего кластера, а следом за ней уже был выпущен полноценный Snapdragon 820 MSM8996 с частотой 2,15ГГц. Различия также коснулись частоты графического сопроцессора и шины памяти LPDDR4, которая в Lite версии была понижена до 1333МГц. На облегчённом 820-м вышли первые партии Xiaomi Mi5 и народ с удовольствием разобрал их, даже не вникая в столь тонкие детали. Что удивительно, Snapdragon 821 также есть в двух версиях с разными топовыми частотами и, например, Xiaomi Mi5S работает на облегчённом Snap821, а Mi5S Plus - на нормальном, с частотой верхнего кластера 2,34ГГц.

Смотрите Большой Обзор мобильных процессоров 2016 здесь.

Snapdragon 835 характеристики

код модели MSM8998
техпроцесс 10нм Samsung FinFET
ядра Qualcomm Kryo 280, состав: 4 ядра до 2,45ГГц + 4 ядра до 1,9 ГГц
память LPDDR4X 1866МГц, двухканальная
GPU Adreno 540, поддержка DirectX 12, OpenGL ES 3.2, OpenCL 2.0 Full, Vulkan API, частота 710МГц
Сигнальный процессор Hexagon 682 DSP с технологией All-Ways Aware
Image-процессор Spectra 180 ISP (2 ISP), 14-битный, поддержка двойной камеры по 16МП или одиночной на 32МП. Гибридный автофокус, оптический зум, распознавание лиц, запись HDR видео
запись видео до 4К на 30FPS, вопроизведение до 4К 60FPS, поддержка кодеков H.264, H.265 и VP9
поддержка разрешения экрана устройства до 4К, внешнего дисплея - также до 4К, 60FPS, глубина цвета 10 бит
формат внутренней памяти - UFS2.1 Gear3 2L, поддержка карт памяти формата SD 3.0 (UHS-I)
модем Qualcomm X16 LTE - категории LTE cat.16 / cat.13. Скачивание с агрегацией частот 4х20МГц, пиковая скорость 1Гбит/с. Аплоад с агрегацией частот 2х20МГц, скорость до 150Мбит/с, поддержка VoLTE, Ultra HD Voice (EVS), CSFB to 3G и 2G, дополнительный чип Qualcomm RF360 для распознавания редких операторских частот
Стандарты Wi-Fi 802.11ad, 802.11ac Wave 2, 802.11n, 802.11a/b/g, частоты 2,4ГГц, 5ГГц, 60ГГц, пиковая скорость 867Мбит/с, конфигурация MIMO 2x2 (2 потока)
Bluetooth 5.0
поддержка систем геопозиционирования GPS, GLONASS, Beidou, Galileo, QZSS, SBAS
Система безопасности Qualcomm Heaven Security
Технология зарядки Qualcomm QuickCharge 4.0, позволяющая зарядить батарею до 50% всего за 15 минут
Сниженный нагрев в связи с переходом на более тонкий техпроцесс и понижением общего энергопотребления, полное отсутствие троттлинга
Производительность по тесту Антуту - 181118 балла (скрины ниже)
Цена высокая, класс устройств на процессоре Snapdragon 835 - топовые флагманы 2017 года

qualcomm snapdragon 835 1

Qualcomm Snapdragon 835 описание и обзор

Процессор в итоге получился 8-ядерный, хотя ранее ходили слухи, что Qualcomm может оставить топовое решение на прежнем уровне технологий, что и Snapdragon 820, то есть с 4 ядрами в двух кластерах по два. Переход на более тонкий техпроцесс с одновременным повышением частоты обоих кластеров должен сыграть значимую роль в увеличении производительности и этого хватит для успешной конкуренции в 2017 году. Изменения в большей степени коснутся внутренней архитектуры чипа и особенностей его составляющих.

Техпроцесс 10нм

Более тонкий техпроцесс - это проектные нормы 10нм, достигнутые на фабриках Samsung. Почему Qualcomm вдруг изменил давнему партнёру TSMC и переметнулся к Самсунгу - не совсем понятно: Тайваньский TSMC уже тестирует переход на 10нм на новой фабрике Fab15b на Тайване и уже получил несколько заказов, но, судя по всему, не получит главный заказ 2017 года от Qualcomm. Почему повезло Самсунгу? Видимо, благодаря успехам его последнего чипа Exynos 8890 с ядрами M1, который показывал производительность, близкую к Snapdragon 820. Плюс у Самсунга плохо идут дела после провала Galaxy Note 7 и он готов идти на серьёзные уступки в переговорах. Поэтому новый процессор куалком будет выполнен на базе техпроцесса Samsung 10nm FinFET, что позволит увеличить эффективную площадь поверхности на 30%, производительность на 27%, а энергопотребление снизить на целых 40%!

С высокой вероятностью первые партии процессоров будут использовать техпроцесс 10nm LPE - Early Edition, и только спустя полгода, когда микроэлектронное производство Samsung наберётся опыта производства на новом техпроцессе, произойдёт переход на 10nm LPP - Performance edition, который будет более эффективным и производительным. Он уже будет реализован в новом поколении процессоров или на апгрейде 835-го снапдрагона.

qualcomm snapdragon 835 4

Графический сопроцессор Adreno 540

Qualcomm Snapdragon 835 оснащён графическим чипом Adreno 540, лишь на один шаг превосходящим прошлогодний Adreno 530, использованный в Snapdragon 820 и Snapdragon 821. Структура графики Adreno сильно отличается от GPU Mali или PowerVR и вместо нескольких выделенных ядер имеет большое число ALU - арифметико-логических единиц, обрабатывающих графику. Актуальный GPU Adreno 530 имеет 256 ALU, суммарная производительность которых достигает 500 ГигаФлопс. Для сравнения, Mali T880 имеет производительность 30,6 Гигафлопс на ядро, то есть в максимальной конфигурации с 12 ядрами имеет производительность около 370 GFLOPS. В новом Adreno 540 частота ядер будет установлена на уровне 670МГц, а сам сопроцессор будет обладать поддержкой всех вышедших технологий (OpenGL ES 3.2, OpenCL 2.0, Vulkan API 1.0, Direct3D 12.1), при этом нас ждёт точно такой же тонкий 10нм техпроцесс и пониженное энергопотребление, как и у вычислительных ядер.

qualcomm snapdragon 835 2

Также новый чип перейдёт и на новую технологию памяти LPDDR4X. Параметры новой памяти пока достоверно неизвестны. Можно предположить, что она будет работать на шине 2000МГц или 2133МГц и иметь пропускную способность 32 Гигабит/с или 34,1Гбит/с соответственно. Разрядность шины, скорее всего, останется прежней и будет четырёхканальной 16-битной, то есть в сумме 64-битной.

Модем Qualcomm X16

Важные перемены произойдут с модемом флагманского чипа. Qualcomm X12, работавший с LTE Cat.12, уже неактуален, так как реализован у большинства конкурентов в их флагманских решениях 2016 года: Exynos 8890, Kirin 960 и ожидаемый в конце 2016 / начале 2017 Helio X30 от Медиатек. Нужно переходить к более высоким скоростям и поэтому в Snapdragon 835 будет реализован новый модем Qualcomm X16 с поддержкой сетей LTE Cat.16 со скоростью скачивания до 980Мбит/с. Увы, полноценная поддержка таких сетей в России появится очень нескоро и оценить всю прелесть их работы можно будет разве что в тестовых лабораториях связи где-нибудь в наукоградах. Зато, благодаря поддержке большего числа диапазонов, скорость обычного 4G LTE может стабилизироваться и приблизиться к своей пиковой отметке в данном регионе. Для Москвы, Санкт-Петербурга и ряде крупных городов это 300Мбит/с, для большинства населённых пунктов в регионах - 150Мбит/с.

DSP Qualcomm Hexagon

Обновился и Цифровой сигнальный процессор, в чипе реализована его новая версия Hexagon 682. Он получил некоторое обновление своих функций и повысил рабочую частоту до 600МГц на поток. При сохранении четырёх потоков получим рабочую частоту 2400Мгц. DSP Hexagon - это третье специализированное устройство на плате чипа Qualcomm после CPU и GPU. Он отвечает за обработку изображений и видео в реальном времени, машинное обучение и распознавание голоса. Эти задачи почти полностью перекладываются на энергоэффективный DSP, высвобождая процессорное время и значительно сокращая энергопотребление смартфона.

Быстрая зарядка Qualcomm QuickCharge 4.0 и её особенности

Важное дополнение, о котором говорили на презентации 17 ноября 2016 - это новый протокол быстрой зарядки Qualcomm QuickCharge 4.0, который позволит зарядить батарею до 50% ёмкости за 15 минут, а за пять минут даст столько махов, что их хватит на пять часов работы смартфона.

quick charge 4 0

Однако, QuickCharge 4.0 это не только выше скорость заряда, это ещё и ряд полезных технологий и их улучшений с прошлой версии

технология AICL - Automatic Input Current Limit - автоматическое ограничение входящего тока
технология APSD - Automatic Power Source Detection - автоматическое определение источника питания
технология HVDCP++ - High Voltage Dedicated Charging Port - выделенный порт для зарядки с повышенной мощностью
технология Dual Charge++ - технология параллельной зарядки. Процесс зарядки ускорен на 20%, его эффективность повысилась на 30%, температура снижена на 5 °C в сравнении с Dual Charge+ из Quick Charge 3.0
технология INOV 3.0 - Intelligent Negotiation for Optimum Voltage - умная регулировка оптимального напряжения заряда, третье поколение
Battery saver technologies 2.0 - второе поколение технологии, направленной на сохранение ёмкости и работоспособности батареи
USB-PD Support - соответствие стандарту USB-Power Delivery, строго рекомендованному гуглом для всех устройств на Android 7.0
Cable Quality detection - проверка повреждения кабеля

quick charge 40

Qualcomm Quick Charge 4.0 получился безопаснее предшественника за счет увеличения степеней защиты. Технология имеет три уровня борьбы с подачей слишком большого напряжения и силы тока, а также четыре уровнями проверки температуры, а встроенная система проверки качества кабеля просто не даст устройству заряжаться в случае плохого соединения!

Snapdragon 835 производительность в тестах AnTuTu и GeekBench

С выходом первых реальных устройств на Snapdragon 835 vs получили и первые реальные тесты производительности чипа. Представленные до официального релиза скрины не вызывали большого доверия, поэтому мы размещаем только показатели известных и общепризнанных моделей.

Результат Qualcomm Snapdragon 835 на смартфоне Xiaomi Mi6 в antutu - 181118 балла.

Другие рекорды производительности:

Apple A10 (iPhone 7 Plus) - 184546 баллов
Snapdragon 821 (OnePlus 3T) - 162297 баллов

mi6 antutu

В видеообзоре Xiaomi Mi6, сделанном в официальном магазине Сяоми, получены результаты теста GeekBench 4: 2028 баллов в одноядерном тестировании и 5810 баллов в многоядерном. mi6 geekbench

Результаты высокие, но не топовые на рынке. Приведём сравнительную таблицу с результатами тестов Geekbench наиболее популярных смартфонов 2016 года:

Смартфон, процессор	Одноядерный тест	Многоядерный тест
Xiaomi Mi6, Snapdragon 835	2028	5810
Xiaomi Mi5, Snapdragon 820	2238	5174
Galaxy S6 Edge, Exynos 7420	1475	5004
Galaxy S7 Edge, Exynos 8890	2109	6173
LeEco Le Pro 3, Snapdragon 821	1865	4452
iPhone 7 Plus, Apple A10	3233	5363

Snapdragon 835 смартфоны

Какие смартфоны уже вышли на новом процессоре Qualcomm и ещё планируются к выходу?

Snapdragon 835 игровые возможности на примере Xiaomi Mi6

< Предыдущая		Следующая >

Новые материалы по этой тематике:

Старые материалы по этой тематике:

<< Предыдущая страницаСледующая страница >>